PUMH10,115-JSM
IC
SOT-363
可供量大可议
PUMH10,115-JSM
集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：100@10mA, 5V
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-363
库存
10,790
货期
现货
PUMH10,115-JSM参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 10790 |
PUMH10,115-JSM概述
集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：100@10mA, 5V
PUMH10,115-JSM特性
暂无产品特性。
PUMH10,115-JSM应用领域
暂无应用领域。