PUMD6,115
IC
TSSOP-6(SOT-363)
可供量大可议
PUMD6,115
内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少组件数量。 降低贴装成本
品牌
Nexperia
封装
TSSOP-6(SOT-363)
库存
10
货期
现货
PUMD6,115参数
| 封装 | TSSOP-6(SOT-363) |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 输入电阻 | 4.7kΩ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| 数量 | 1个NPN-预偏置, 1个PNP-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
PUMD6,115概述
数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN, 1个PNP-预偏置
PUMD6,115特性
暂无产品特性。
PUMD6,115应用领域
暂无应用领域。