PUMD3,115-JSM
IC
SOT-363
可供量大可议
PUMD3,115-JSM
数量：1个NPN-预偏置, 1个PNP-预偏置 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：30@5mA, 5V
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-363
库存
3,860
货期
现货
PUMD3,115-JSM参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 3860 |
PUMD3,115-JSM概述
数量：1个NPN-预偏置, 1个PNP-预偏置 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：30@5mA, 5V
PUMD3,115-JSM特性
暂无产品特性。
PUMD3,115-JSM应用领域
暂无应用领域。