PTVSHC3N7VU-HXY
IC
DFN-3L(2x2)
可供量大可议
PTVSHC3N7VU-HXY
本产品是一款用于静电和浪涌保护的高性能器件, 适用于需要稳定信号传输的电子设备。 其主要参数包括:峰值脉冲电流IPP为240A, 能够有效吸收瞬态大电流; 反向工作电压VRWM为7.5V, 适合低电压线路保护; 结电容CJ为1700pF, 确保信号完整性; 支持2通道保护, 采用单向(Uni)设计, 响应速度快、钳位性能优异, 可广泛应用于通信接口、消费类电子产品及便携设备中, 为电路提供可靠防护。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-3L(2x2)
库存
170
货期
现货
PTVSHC3N7VU-HXY参数
| 封装 | DFN-3L(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 170 |
PTVSHC3N7VU-HXY概述
本产品是一款用于静电和浪涌保护的高性能器件, 适用于需要稳定信号传输的电子设备。 其主要参数包括:峰值脉冲电流IPP为240A, 能够有效吸收瞬态大电流; 反向工作电压VRWM为7.5V, 适合低电压线路保护; 结电容CJ为1700pF, 确保信号完整性; 支持2通道保护, 采用单向(Uni)设计, 响应速度快、钳位性能优异, 可广泛应用于通信接口、消费类电子产品及便携设备中, 为电路提供可靠防护。
PTVSHC3N7VU-HXY特性
暂无产品特性。
PTVSHC3N7VU-HXY应用领域
暂无应用领域。
