PTVSHC3N7VU
IC
DFN2x2-3L
可供量大可议
PTVSHC3N7VU
PTVSHC3N7VU静电放电(ESD)保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 其特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 且与MLV相比, 不会出现器件性能退化的问题。 PTVSHC3N7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC3N7VU采用DFN2×2 - 3L封装, 工作电压为7V。 它可满足IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD抗扰度要求(±30KV空气放电、±30KV接触放电)。
品牌
Prisemi
封装
DFN2x2-3L
库存
2,460
货期
现货
PTVSHC3N7VU参数
| 封装 | DFN2x2-3L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2460 |
PTVSHC3N7VU概述
PTVSHC3N7VU静电放电(ESD)保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 其特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 且与MLV相比, 不会出现器件性能退化的问题。 PTVSHC3N7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC3N7VU采用DFN2×2 - 3L封装, 工作电压为7V。 它可满足IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD抗扰度要求(±30KV空气放电、±30KV接触放电)。
PTVSHC3N7VU特性
暂无产品特性。
PTVSHC3N7VU应用领域
暂无应用领域。
