PTVSHC3N4V5B-HXY
IC
DFN-3(2x2)
可供量大可议
PTVSHC3N4V5B-HXY
该静电和浪涌保护器件采用双向设计, 适用于多种电路中对瞬态电压的高效抑制。 其最大峰值电流(IPP)为240A, 具备出色的能量吸收能力, 可有效保护电路免受静电和浪涌干扰。 工作反向电压(VRWM)为4.5V, 适用于低电压信号线路的防护需求。 结电容(CJ)为1000pF, 在确保保护性能的同时兼顾信号完整性。 该器件支持2通道线路保护, 适合用于通信接口、便携设备及精密电子系统中的多路信号线防护, 提供快速响应与长期稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-3(2x2)
库存
10
货期
现货
PTVSHC3N4V5B-HXY参数
| 封装 | DFN-3(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
PTVSHC3N4V5B-HXY概述
该静电和浪涌保护器件采用双向设计, 适用于多种电路中对瞬态电压的高效抑制。 其最大峰值电流(IPP)为240A, 具备出色的能量吸收能力, 可有效保护电路免受静电和浪涌干扰。 工作反向电压(VRWM)为4.5V, 适用于低电压信号线路的防护需求。 结电容(CJ)为1000pF, 在确保保护性能的同时兼顾信号完整性。 该器件支持2通道线路保护, 适合用于通信接口、便携设备及精密电子系统中的多路信号线防护, 提供快速响应与长期稳定性。
PTVSHC3N4V5B-HXY特性
暂无产品特性。
PTVSHC3N4V5B-HXY应用领域
暂无应用领域。
