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PTVSHC3N4V5B-HXY
IC

DFN-3(2x2)

可供量大可议

PTVSHC3N4V5B-HXY

该静电和浪涌保护器件采用双向设计, 适用于多种电路中对瞬态电压的高效抑制。 其最大峰值电流(IPP)为240A, 具备出色的能量吸收能力, 可有效保护电路免受静电和浪涌干扰。 工作反向电压(VRWM)为4.5V, 适用于低电压信号线路的防护需求。 结电容(CJ)为1000pF, 在确保保护性能的同时兼顾信号完整性。 该器件支持2通道线路保护, 适合用于通信接口、便携设备及精密电子系统中的多路信号线防护, 提供快速响应与长期稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-3(2x2)

库存

10

货期

现货

PTVSHC3N4V5B-HXY参数

封装DFN-3(2x2)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存10

PTVSHC3N4V5B-HXY概述

该静电和浪涌保护器件采用双向设计, 适用于多种电路中对瞬态电压的高效抑制。 其最大峰值电流(IPP)为240A, 具备出色的能量吸收能力, 可有效保护电路免受静电和浪涌干扰。 工作反向电压(VRWM)为4.5V, 适用于低电压信号线路的防护需求。 结电容(CJ)为1000pF, 在确保保护性能的同时兼顾信号完整性。 该器件支持2通道线路保护, 适合用于通信接口、便携设备及精密电子系统中的多路信号线防护, 提供快速响应与长期稳定性。

PTVSHC3N4V5B-HXY特性

暂无产品特性。

PTVSHC3N4V5B-HXY应用领域

暂无应用领域。

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