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PTVSHC3N24VUP
IC

DFN2x2-3L

可供量大可议

PTVSHC3N24VUP

PTVSHC3N24VUP瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 与MLV相比无器件性能退化问题。 PTVSHC3N24VUP可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC3N24VUP采用DFN2×2 - 3L封装, 工作电压为24伏。 它用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求。

品牌

Prisemi

封装

DFN2x2-3L

库存

1,615

货期

现货

PTVSHC3N24VUP参数

封装DFN2x2-3L
品牌Prisemi(芯导)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存1615

PTVSHC3N24VUP概述

PTVSHC3N24VUP瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 与MLV相比无器件性能退化问题。 PTVSHC3N24VUP可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC3N24VUP采用DFN2×2 - 3L封装, 工作电压为24伏。 它用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求。

PTVSHC3N24VUP特性

暂无产品特性。

PTVSHC3N24VUP应用领域

暂无应用领域。

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