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PTVSHC3N24VUH
IC

DFN2x2-3L

可供量大可议

PTVSHC3N24VUH

PTVSHC3N24VUH瞬态电压抑制器旨在替代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA))中的多层压敏电阻 (MLV)。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 并且与 MLV 相比无器件性能退化问题。 PTVSHC3N24VUH可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC3N24VUH采用DFN2×2 - 3L封装, 工作电压为24V。 它用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求。

品牌

Prisemi

封装

DFN2x2-3L

库存

6,450

货期

现货

PTVSHC3N24VUH参数

封装DFN2x2-3L
品牌Prisemi(芯导)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存6450

PTVSHC3N24VUH概述

PTVSHC3N24VUH瞬态电压抑制器旨在替代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA))中的多层压敏电阻 (MLV)。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 并且与 MLV 相比无器件性能退化问题。 PTVSHC3N24VUH可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC3N24VUH采用DFN2×2 - 3L封装, 工作电压为24V。 它用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求。

PTVSHC3N24VUH特性

暂无产品特性。

PTVSHC3N24VUH应用领域

暂无应用领域。

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