PTVSHC3N24VU
IC
DFN2x2-3L
可供量大可议
PTVSHC3N24VU
PTVSHC3N24VU静电放电(ESD)保护器专为取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA))中的多层压敏电阻(MLV)而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压, 并且与MLV相比无器件性能退化问题。 PTVSHC3N24VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC3N24VU采用DFN2×2 - 3L封装, 工作电压为24伏。 它用于满足IEC 61000 - 4 - 2(±30kV空气放电、±30KV接触放电)的ESD抗扰度要求。
品牌
Prisemi
封装
DFN2x2-3L
库存
390
货期
现货
PTVSHC3N24VU参数
| 封装 | DFN2x2-3L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 390 |
PTVSHC3N24VU概述
PTVSHC3N24VU静电放电(ESD)保护器专为取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA))中的多层压敏电阻(MLV)而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压, 并且与MLV相比无器件性能退化问题。 PTVSHC3N24VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC3N24VU采用DFN2×2 - 3L封装, 工作电压为24伏。 它用于满足IEC 61000 - 4 - 2(±30kV空气放电、±30KV接触放电)的ESD抗扰度要求。
PTVSHC3N24VU特性
暂无产品特性。
PTVSHC3N24VU应用领域
暂无应用领域。
