库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
PTVSHC3N18VUH
IC

DFN-3L(2x2)

可供量大可议

PTVSHC3N18VUH

PTVSHC3N18VU瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 并且与MLV相比, 不会出现器件性能退化的问题。 PTVSHC3N18VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC3N18VU采用DFN2×2 - 3L封装, 工作电压为18伏。

品牌

Prisemi

封装

DFN-3L(2x2)

库存

180

货期

现货

PTVSHC3N18VUH参数

封装DFN-3L(2x2)
品牌Prisemi(芯导)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存180

PTVSHC3N18VUH概述

PTVSHC3N18VU瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 并且与MLV相比, 不会出现器件性能退化的问题。 PTVSHC3N18VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC3N18VU采用DFN2×2 - 3L封装, 工作电压为18伏。

PTVSHC3N18VUH特性

暂无产品特性。

PTVSHC3N18VUH应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件