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PTVSHC3N18VU-HXY
IC

DFN-3(2x2)

可供量大可议

PTVSHC3N18VU-HXY

本产品为静电和浪涌保护器件, 适用于需要高可靠性和稳定性的电路防护场合。 其主要参数包括:最大通流能力(IPP)为140A, 反向工作电压(VRWM)为18V, 结电容(CJ)为900pF, 支持2通道(LINE)保护, 采用单向(Uni)设计。 该器件能够有效吸收和泄放瞬态过电流, 防止电压尖峰对后级电路造成损害, 广泛应用于通信设备、消费电子及精密仪器等领域中的信号线路保护。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-3(2x2)

库存

190

货期

现货

PTVSHC3N18VU-HXY参数

封装DFN-3(2x2)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存190

PTVSHC3N18VU-HXY概述

本产品为静电和浪涌保护器件, 适用于需要高可靠性和稳定性的电路防护场合。 其主要参数包括:最大通流能力(IPP)为140A, 反向工作电压(VRWM)为18V, 结电容(CJ)为900pF, 支持2通道(LINE)保护, 采用单向(Uni)设计。 该器件能够有效吸收和泄放瞬态过电流, 防止电压尖峰对后级电路造成损害, 广泛应用于通信设备、消费电子及精密仪器等领域中的信号线路保护。

PTVSHC3N18VU-HXY特性

暂无产品特性。

PTVSHC3N18VU-HXY应用领域

暂无应用领域。

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