PTVSHC3N18VU-HXY
IC
DFN-3(2x2)
可供量大可议
PTVSHC3N18VU-HXY
本产品为静电和浪涌保护器件, 适用于需要高可靠性和稳定性的电路防护场合。 其主要参数包括:最大通流能力(IPP)为140A, 反向工作电压(VRWM)为18V, 结电容(CJ)为900pF, 支持2通道(LINE)保护, 采用单向(Uni)设计。 该器件能够有效吸收和泄放瞬态过电流, 防止电压尖峰对后级电路造成损害, 广泛应用于通信设备、消费电子及精密仪器等领域中的信号线路保护。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-3(2x2)
库存
190
货期
现货
PTVSHC3N18VU-HXY参数
| 封装 | DFN-3(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 190 |
PTVSHC3N18VU-HXY概述
本产品为静电和浪涌保护器件, 适用于需要高可靠性和稳定性的电路防护场合。 其主要参数包括:最大通流能力(IPP)为140A, 反向工作电压(VRWM)为18V, 结电容(CJ)为900pF, 支持2通道(LINE)保护, 采用单向(Uni)设计。 该器件能够有效吸收和泄放瞬态过电流, 防止电压尖峰对后级电路造成损害, 广泛应用于通信设备、消费电子及精密仪器等领域中的信号线路保护。
PTVSHC3N18VU-HXY特性
暂无产品特性。
PTVSHC3N18VU-HXY应用领域
暂无应用领域。
