PTVSHC3N18VU
IC
DFN2x2-3L
可供量大可议
PTVSHC3N18VU
PTVSHC3N18VU瞬态电压抑制器旨在替代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻(MLV)。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 与MLV相比无器件性能退化问题。 PTVSHC3N18VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC3N18VU采用DFN2×2 - 3L封装, 工作电压为18伏。
品牌
Prisemi
封装
DFN2x2-3L
库存
1,595
货期
现货
PTVSHC3N18VU参数
| 封装 | DFN2x2-3L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1595 |
PTVSHC3N18VU概述
PTVSHC3N18VU瞬态电压抑制器旨在替代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻(MLV)。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 与MLV相比无器件性能退化问题。 PTVSHC3N18VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC3N18VU采用DFN2×2 - 3L封装, 工作电压为18伏。
PTVSHC3N18VU特性
暂无产品特性。
PTVSHC3N18VU应用领域
暂无应用领域。
