PTVSHC3D9VU
IC
SOD-323
可供量大可议
PTVSHC3D9VU
PTVSHC3D9VU瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。 它们的特点是具有大截面积结， 可传导高瞬态电流， 为电路板级保护提供了理想的电气特性， 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低， 并且与MLV相比， 不会出现器件性能退化的问题。 PTVSHC3D9VU可保护敏感半导体元件， 使其免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障
品牌
Prisemi
封装
SOD-323
库存
2,030
货期
现货
PTVSHC3D9VU参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2030 |
PTVSHC3D9VU概述
PTVSHC3D9VU瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。 它们的特点是具有大截面积结， 可传导高瞬态电流， 为电路板级保护提供了理想的电气特性， 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低， 并且与MLV相比， 不会出现器件性能退化的问题。 PTVSHC3D9VU可保护敏感半导体元件， 使其免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障
PTVSHC3D9VU特性
暂无产品特性。
PTVSHC3D9VU应用领域
暂无应用领域。