PTVSHC3D7VU-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
PTVSHC3D7VU-HXY
该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 适用于需要高可靠性和稳定性的电路应用场景。 其最大峰值电流(IPP)可达105A, 有效吸收瞬态能量, 保障后级电路安全。 工作反向电压(VRWM)为7V, 确保在正常工作条件下不干扰系统运行。 结电容(CJ)为600pF, 满足一般信号线路的兼容性要求。 该器件支持1通道线路保护, 适合用于通信接口、便携设备及精密电子系统的信号线防护, 提供快速响应和长期稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
10
货期
现货
PTVSHC3D7VU-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
PTVSHC3D7VU-HXY概述
该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 适用于需要高可靠性和稳定性的电路应用场景。 其最大峰值电流(IPP)可达105A, 有效吸收瞬态能量, 保障后级电路安全。 工作反向电压(VRWM)为7V, 确保在正常工作条件下不干扰系统运行。 结电容(CJ)为600pF, 满足一般信号线路的兼容性要求。 该器件支持1通道线路保护, 适合用于通信接口、便携设备及精密电子系统的信号线防护, 提供快速响应和长期稳定性。
PTVSHC3D7VU-HXY特性
暂无产品特性。
PTVSHC3D7VU-HXY应用领域
暂无应用领域。
