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PTVSHC3D5VU-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

PTVSHC3D5VU-HXY

该静电和浪涌保护器件为单向设计, 具备140A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 可高效抑制静电放电及瞬态电压带来的冲击。 其反向工作电压为5V(VRWM), 适用于标准逻辑电平电路的防护需求。 器件采用单通道布局, 结电容(CJ)为980pF, 适合用于低速信号线或电源线路的保护。 该产品广泛应用于便携式电子设备、通信模块以及各类通用电器中的敏感电路保护, 能够在复杂电磁环境中提供稳定可靠的电气防护性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

2,830

货期

现货

PTVSHC3D5VU-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存2830

PTVSHC3D5VU-HXY概述

该静电和浪涌保护器件为单向设计, 具备140A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 可高效抑制静电放电及瞬态电压带来的冲击。 其反向工作电压为5V(VRWM), 适用于标准逻辑电平电路的防护需求。 器件采用单通道布局, 结电容(CJ)为980pF, 适合用于低速信号线或电源线路的保护。 该产品广泛应用于便携式电子设备、通信模块以及各类通用电器中的敏感电路保护, 能够在复杂电磁环境中提供稳定可靠的电气防护性能。

PTVSHC3D5VU-HXY特性

暂无产品特性。

PTVSHC3D5VU-HXY应用领域

暂无应用领域。

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