PTVSHC3D5VU-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
PTVSHC3D5VU-HXY
该静电和浪涌保护器件为单向设计, 具备140A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 可高效抑制静电放电及瞬态电压带来的冲击。 其反向工作电压为5V(VRWM), 适用于标准逻辑电平电路的防护需求。 器件采用单通道布局, 结电容(CJ)为980pF, 适合用于低速信号线或电源线路的保护。 该产品广泛应用于便携式电子设备、通信模块以及各类通用电器中的敏感电路保护, 能够在复杂电磁环境中提供稳定可靠的电气防护性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
2,830
货期
现货
PTVSHC3D5VU-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2830 |
PTVSHC3D5VU-HXY概述
该静电和浪涌保护器件为单向设计, 具备140A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 可高效抑制静电放电及瞬态电压带来的冲击。 其反向工作电压为5V(VRWM), 适用于标准逻辑电平电路的防护需求。 器件采用单通道布局, 结电容(CJ)为980pF, 适合用于低速信号线或电源线路的保护。 该产品广泛应用于便携式电子设备、通信模块以及各类通用电器中的敏感电路保护, 能够在复杂电磁环境中提供稳定可靠的电气防护性能。
PTVSHC3D5VU-HXY特性
暂无产品特性。
PTVSHC3D5VU-HXY应用领域
暂无应用领域。
