PTVSHC2EN7VU
IC
DFN1610-2L
可供量大可议
PTVSHC2EN7VU
PTVSHC2EN7VU静电放电(ESD)保护器专为在便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA))中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 与MLV相比, 无器件性能退化问题。 PTVSHC2EN7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。 PTVSHC2EN7VU采用DFN1610 - 2L封装, 工作电压为7伏。 它用于满足IEC 61000 - 4 - 2(±30kV空气放电、±30kV接触放电)的ESD抗扰度要求。
品牌
Prisemi
封装
DFN1610-2L
库存
2,220
货期
现货
PTVSHC2EN7VU参数
| 封装 | DFN1610-2L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2220 |
PTVSHC2EN7VU概述
PTVSHC2EN7VU静电放电(ESD)保护器专为在便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA))中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 与MLV相比, 无器件性能退化问题。 PTVSHC2EN7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。 PTVSHC2EN7VU采用DFN1610 - 2L封装, 工作电压为7伏。 它用于满足IEC 61000 - 4 - 2(±30kV空气放电、±30kV接触放电)的ESD抗扰度要求。
PTVSHC2EN7VU特性
暂无产品特性。
PTVSHC2EN7VU应用领域
暂无应用领域。
