PTVSHC2EN5VB-MS
IC
DFN1610-2
可供量大可议
PTVSHC2EN5VB-MS
特性：1500W 峰值脉冲功率/线 (tP = 8 / 20μs)。 DFN1610-2L 封装。 响应时间通常 < 1 ns。 保护一个 I/O 或电源线。 低钳位电压。 符合 RoHS 标准。 应用：手机及配件。 个人数字助理 (PDA)
品牌
MSKSEMI
封装
DFN1610-2
库存
5,330
货期
现货
PTVSHC2EN5VB-MS参数
| 封装 | DFN1610-2 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5330 |
PTVSHC2EN5VB-MS概述
特性：1500W 峰值脉冲功率/线 (tP = 8 / 20μs)。 DFN1610-2L 封装。 响应时间通常 < 1 ns。 保护一个 I/O 或电源线。 低钳位电压。 符合 RoHS 标准。 应用：手机及配件。 个人数字助理 (PDA)
PTVSHC2EN5VB-MS特性
暂无产品特性。
PTVSHC2EN5VB-MS应用领域
暂无应用领域。