PTVSHC2EN4V8UF
IC
DFN1610-2
可供量大可议
PTVSHC2EN4V8UF
单向高电容瞬态电压抑制器， 用于保护敏感半导体元件， 响应快、工作电压低、钳位电压低， 采用DFN1610 - 2L封装
品牌
Prisemi
封装
DFN1610-2
库存
2,980
货期
现货
PTVSHC2EN4V8UF参数
| 封装 | DFN1610-2 |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2980 |
PTVSHC2EN4V8UF概述
单向高电容瞬态电压抑制器， 用于保护敏感半导体元件， 响应快、工作电压低、钳位电压低， 采用DFN1610 - 2L封装
PTVSHC2EN4V8UF特性
暂无产品特性。
PTVSHC2EN4V8UF应用领域
暂无应用领域。