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PTVSHC2EN4V5B-HXY
IC

DFN1610-2L

可供量大可议

PTVSHC2EN4V5B-HXY

该静电和浪涌保护器件采用双向设计, 支持160A峰值脉冲电流(IPP)的瞬态电压吸收能力, 适用于需要较强抗干扰能力的电路环境。 其反向工作电压为4.5V(VRWM), 可在较宽电压范围内稳定运行。 单通道设计结合300pF的结电容(CJ), 适合用于低频信号线路或电源路径的保护。 该器件广泛应用于消费类电子产品中的USB接口、电池管理模块以及各类通用电子设备的敏感电路中, 提供高效、可靠的过压和静电放电防护功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1610-2L

库存

1,420

货期

现货

PTVSHC2EN4V5B-HXY参数

封装DFN1610-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存1420

PTVSHC2EN4V5B-HXY概述

该静电和浪涌保护器件采用双向设计, 支持160A峰值脉冲电流(IPP)的瞬态电压吸收能力, 适用于需要较强抗干扰能力的电路环境。 其反向工作电压为4.5V(VRWM), 可在较宽电压范围内稳定运行。 单通道设计结合300pF的结电容(CJ), 适合用于低频信号线路或电源路径的保护。 该器件广泛应用于消费类电子产品中的USB接口、电池管理模块以及各类通用电子设备的敏感电路中, 提供高效、可靠的过压和静电放电防护功能。

PTVSHC2EN4V5B-HXY特性

暂无产品特性。

PTVSHC2EN4V5B-HXY应用领域

暂无应用领域。

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