PTVSHC2EN4V5B-HXY
IC
DFN1610-2L
可供量大可议
PTVSHC2EN4V5B-HXY
该静电和浪涌保护器件采用双向设计, 支持160A峰值脉冲电流(IPP)的瞬态电压吸收能力, 适用于需要较强抗干扰能力的电路环境。 其反向工作电压为4.5V(VRWM), 可在较宽电压范围内稳定运行。 单通道设计结合300pF的结电容(CJ), 适合用于低频信号线路或电源路径的保护。 该器件广泛应用于消费类电子产品中的USB接口、电池管理模块以及各类通用电子设备的敏感电路中, 提供高效、可靠的过压和静电放电防护功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1610-2L
库存
1,420
货期
现货
PTVSHC2EN4V5B-HXY参数
| 封装 | DFN1610-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1420 |
PTVSHC2EN4V5B-HXY概述
该静电和浪涌保护器件采用双向设计, 支持160A峰值脉冲电流(IPP)的瞬态电压吸收能力, 适用于需要较强抗干扰能力的电路环境。 其反向工作电压为4.5V(VRWM), 可在较宽电压范围内稳定运行。 单通道设计结合300pF的结电容(CJ), 适合用于低频信号线路或电源路径的保护。 该器件广泛应用于消费类电子产品中的USB接口、电池管理模块以及各类通用电子设备的敏感电路中, 提供高效、可靠的过压和静电放电防护功能。
PTVSHC2EN4V5B-HXY特性
暂无产品特性。
PTVSHC2EN4V5B-HXY应用领域
暂无应用领域。
