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PTVSHC2EN4V5B
IC

DFN1610-2L

可供量大可议

PTVSHC2EN4V5B

PTVSHC2EN4V5B静电放电(ESD)保护器专为取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA))中的多层压敏电阻(MLV)而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 与MLV相比, 具有快速响应时间、更低的工作电压、更低的钳位电压且无器件性能退化等理想的板级保护电气特性。 PTVSHC2EN4V5B可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。 PTVSHC2EN4V5B采用DFN1610 - 2L封装, 工作电压为4.5伏, 用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求(±30kV空气放电、±30kV接触放电)。

品牌

Prisemi

封装

DFN1610-2L

库存

2,870

货期

现货

PTVSHC2EN4V5B参数

封装DFN1610-2L
品牌Prisemi(芯导)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存2870

PTVSHC2EN4V5B概述

PTVSHC2EN4V5B静电放电(ESD)保护器专为取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA))中的多层压敏电阻(MLV)而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 与MLV相比, 具有快速响应时间、更低的工作电压、更低的钳位电压且无器件性能退化等理想的板级保护电气特性。 PTVSHC2EN4V5B可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。 PTVSHC2EN4V5B采用DFN1610 - 2L封装, 工作电压为4.5伏, 用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求(±30kV空气放电、±30kV接触放电)。

PTVSHC2EN4V5B特性

暂无产品特性。

PTVSHC2EN4V5B应用领域

暂无应用领域。

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