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PTVSHC2EN12VUT
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

PTVSHC2EN12VUT

ESD保护器旨在取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻 (MLV)。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供理想的电气特性, 如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压, 并且与MLV相比无器件老化问题。 该保护器可保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或故障。 该产品采用DFN1610-2L封装, 工作电压为12V, 用于满足IEC 61000-4-2(±30kV空气放电, ±30kV接触放电)的ESD抗扰度要求。

品牌

Prisemi

封装

DFN1006-2L

库存

10

货期

现货

PTVSHC2EN12VUT参数

封装DFN1006-2L
品牌Prisemi(芯导)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存10

PTVSHC2EN12VUT概述

ESD保护器旨在取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻 (MLV)。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供理想的电气特性, 如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压, 并且与MLV相比无器件老化问题。 该保护器可保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或故障。 该产品采用DFN1610-2L封装, 工作电压为12V, 用于满足IEC 61000-4-2(±30kV空气放电, ±30kV接触放电)的ESD抗扰度要求。

PTVSHC2EN12VUT特性

暂无产品特性。

PTVSHC2EN12VUT应用领域

暂无应用领域。

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