PTVSHC2EN12VUT
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
PTVSHC2EN12VUT
ESD保护器旨在取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻 (MLV)。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供理想的电气特性, 如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压, 并且与MLV相比无器件老化问题。 该保护器可保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或故障。 该产品采用DFN1610-2L封装, 工作电压为12V, 用于满足IEC 61000-4-2(±30kV空气放电, ±30kV接触放电)的ESD抗扰度要求。
品牌
Prisemi
封装
DFN1006-2L
库存
10
货期
现货
PTVSHC2EN12VUT参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
PTVSHC2EN12VUT概述
ESD保护器旨在取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻 (MLV)。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供理想的电气特性, 如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压, 并且与MLV相比无器件老化问题。 该保护器可保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或故障。 该产品采用DFN1610-2L封装, 工作电压为12V, 用于满足IEC 61000-4-2(±30kV空气放电, ±30kV接触放电)的ESD抗扰度要求。
PTVSHC2EN12VUT特性
暂无产品特性。
PTVSHC2EN12VUT应用领域
暂无应用领域。
