PTVSHC2EN12VU-MS
IC
DFN1610-2
可供量大可议
PTVSHC2EN12VU-MS
特性：每线1600W峰值脉冲功率（tp = 8 / 20μs）。 DFN1610-2封装。 响应时间通常 < 1 ns。 保护一个I/O或电源线。 低钳位电压。 符合RoHS标准。 应用：手机及配件。 个人数字助理（PDA）
品牌
MSKSEMI
封装
DFN1610-2
库存
2,460
货期
现货
PTVSHC2EN12VU-MS参数
| 封装 | DFN1610-2 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2460 |
PTVSHC2EN12VU-MS概述
特性：每线1600W峰值脉冲功率（tp = 8 / 20μs）。 DFN1610-2封装。 响应时间通常 < 1 ns。 保护一个I/O或电源线。 低钳位电压。 符合RoHS标准。 应用：手机及配件。 个人数字助理（PDA）
PTVSHC2EN12VU-MS特性
暂无产品特性。
PTVSHC2EN12VU-MS应用领域
暂无应用领域。