PTVSHC1TF12VU
IC
SOD-123FL
可供量大可议
PTVSHC1TF12VU
PTVSHC1TF12VU瞬态电压抑制器旨在替代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻(MLV)。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 并且与MLV相比, 不会出现器件性能退化的问题。 PTVSHC1TF12VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC1TF12VU采用SOD - 123FL封装, 工作电压为12伏。
品牌
Prisemi
封装
SOD-123FL
库存
3,960
货期
现货
PTVSHC1TF12VU参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3960 |
PTVSHC1TF12VU概述
PTVSHC1TF12VU瞬态电压抑制器旨在替代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻(MLV)。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 并且与MLV相比, 不会出现器件性能退化的问题。 PTVSHC1TF12VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 PTVSHC1TF12VU采用SOD - 123FL封装, 工作电压为12伏。
PTVSHC1TF12VU特性
暂无产品特性。
PTVSHC1TF12VU应用领域
暂无应用领域。
