PTVS3V3D1BALYL-TP
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
PTVS3V3D1BALYL-TP
特性：超小封装：1.0×0.6×0.5mm。 超低电容：典型值50pF。 超低泄漏：纳安级别。 低工作电压：±3.3V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 应用：便携式仪器。 笔记本电脑和手持设备
品牌
TECH PUBLIC
封装
DFN1006-2L
库存
9,930
货期
现货
PTVS3V3D1BALYL-TP参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9930 |
PTVS3V3D1BALYL-TP概述
特性：超小封装：1.0×0.6×0.5mm。 超低电容：典型值50pF。 超低泄漏：纳安级别。 低工作电压：±3.3V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 应用：便携式仪器。 笔记本电脑和手持设备
PTVS3V3D1BALYL-TP特性
暂无产品特性。
PTVS3V3D1BALYL-TP应用领域
暂无应用领域。