PTVS24VS1UR-N
IC
SOD-123FL
可供量大可议
PTVS24VS1UR-N
特性：4500W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微小 SOD123FL 封装。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
BORN
封装
SOD-123FL
库存
3,000
货期
现货
PTVS24VS1UR-N参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
PTVS24VS1UR-N概述
特性：4500W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微小 SOD123FL 封装。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
PTVS24VS1UR-N特性
暂无产品特性。
PTVS24VS1UR-N应用领域
暂无应用领域。