PTQ6002
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
PTQ6002
使用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并可在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
HT
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
库存
4,330
货期
现货
PTQ6002参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | HT(金誉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4330 |
PTQ6002概述
使用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并可在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
PTQ6002特性
暂无产品特性。
PTQ6002应用领域
暂无应用领域。