PTP4N65
IC
TO-220
可供量大可议
PTP4N65
特性：RDS(on)（典型值 2.6Ω）@VGS = 10V。 改善的 dv/dt 能力， 高耐用性。 100% 雪崩测试。 最大结温范围（150℃）
品牌
PUOLOP
封装
TO-220
库存
43
货期
现货
PTP4N65参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | PUOLOP(迪浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 43 |
PTP4N65概述
特性：RDS(on)（典型值 2.6Ω）@VGS = 10V。 改善的 dv/dt 能力， 高耐用性。 100% 雪崩测试。 最大结温范围（150℃）
PTP4N65特性
暂无产品特性。
PTP4N65应用领域
暂无应用领域。