PTN102L6M5B6
IC
DFN1006-2
可供量大可议
PTN102L6M5B6
特性：65瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±25kV接触， ±25kV空气。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
品牌
prosemi
封装
DFN1006-2
库存
10,000
货期
现货
PTN102L6M5B6参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | prosemi(普罗森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10000 |
PTN102L6M5B6概述
特性：65瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±25kV接触， ±25kV空气。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
PTN102L6M5B6特性
暂无产品特性。
PTN102L6M5B6应用领域
暂无应用领域。