PTL04P06
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
PTL04P06
特性：VDS =-60V, ID =-4A。 RDS(ON) < 110mΩ @ VGS =-10V。 RDS(ON) < 150mΩ @ VGS =-4.5V。 高密度单元设计， 实现超低RDS(ON)。 完全表征的雪崩电压和电流。 良好散热性能的出色封装。 应用：负载开关。 PWM应用
品牌
HT
封装
SOT-23-3L
库存
665
货期
现货
PTL04P06参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | HT(金誉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 665 |
PTL04P06概述
特性：VDS =-60V, ID =-4A。 RDS(ON) < 110mΩ @ VGS =-10V。 RDS(ON) < 150mΩ @ VGS =-4.5V。 高密度单元设计， 实现超低RDS(ON)。 完全表征的雪崩电压和电流。 良好散热性能的出色封装。 应用：负载开关。 PWM应用
PTL04P06特性
暂无产品特性。
PTL04P06应用领域
暂无应用领域。