PTH150N04
IC
SOT-223
可供量大可议
PTH150N04
特性：VDS = 150V, ID = 4.0A。 RDS(ON) < 160mΩ @ VGS = 10V。 高密度单元设计， 实现超低电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
品牌
HT
封装
SOT-223
库存
3,965
货期
现货
PTH150N04参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | HT(金誉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3965 |
PTH150N04概述
特性：VDS = 150V, ID = 4.0A。 RDS(ON) < 160mΩ @ VGS = 10V。 高密度单元设计， 实现超低电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
PTH150N04特性
暂无产品特性。
PTH150N04应用领域
暂无应用领域。