PTF7N65
IC
TO-220F
可供量大可议
PTF7N65
特性：RDS(on)（典型值1.0Ω）@VGS = 10V。 改善的dv/dt能力， 高耐用性。 100%雪崩测试。 最大结温范围（150℃）
品牌
HT
封装
TO-220F
库存
40
货期
现货
PTF7N65参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HT(金誉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
PTF7N65概述
特性：RDS(on)（典型值1.0Ω）@VGS = 10V。 改善的dv/dt能力， 高耐用性。 100%雪崩测试。 最大结温范围（150℃）
PTF7N65特性
暂无产品特性。
PTF7N65应用领域
暂无应用领域。