PTF4N65
IC
TO-220F-3
可供量大可议
PTF4N65
特性：RDS(on)（典型值2.6Ω）@VGS = 10V。 改善的dv/dt能力。 高耐用性。 100%雪崩测试。 最高结温范围（150℃）
品牌
PUOLOP
封装
TO-220F-3
库存
20
货期
现货
PTF4N65参数
| 封装 | TO-220F-3 |
|---|---|
| 品牌 | PUOLOP(迪浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
PTF4N65概述
特性：RDS(on)（典型值2.6Ω）@VGS = 10V。 改善的dv/dt能力。 高耐用性。 100%雪崩测试。 最高结温范围（150℃）
PTF4N65特性
暂无产品特性。
PTF4N65应用领域
暂无应用领域。