PTD80N06
IC
TO-252
可供量大可议
PTD80N06
特性：60V/80A， 导通电阻RDS(ON)=6.3mΩ（VGS=10V时）。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻， 以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%经过雪崩测试。 应用：电源。 DC-DC转换器
品牌
HT
封装
TO-252
库存
2,440
货期
现货
PTD80N06参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HT(金誉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2440 |
PTD80N06概述
特性：60V/80A， 导通电阻RDS(ON)=6.3mΩ（VGS=10V时）。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻， 以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%经过雪崩测试。 应用：电源。 DC-DC转换器
PTD80N06特性
暂无产品特性。
PTD80N06应用领域
暂无应用领域。