PTD60N02
IC
TO-252
可供量大可议
PTD60N02
采用先进的沟槽技术， 提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并可在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
HT
封装
TO-252
库存
2,480
货期
现货
PTD60N02参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HT(金誉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2480 |
PTD60N02概述
采用先进的沟槽技术， 提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并可在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
PTD60N02特性
暂无产品特性。
PTD60N02应用领域
暂无应用领域。