PTD50N06
IC
TO-252
可供量大可议
PTD50N06
PTD50N06采用沟槽工艺技术设计， 可实现极低的导通电阻。 该设计的其他特性包括可在高结温下工作、开关速度快以及重复雪崩额定值得到改善。 这些特性相结合， 使该设计成为一款极其高效可靠的器件， 适用于电机应用及多种其他应用
品牌
PUOLOP
封装
TO-252
库存
2,420
货期
现货
PTD50N06参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | PUOLOP(迪浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2420 |
PTD50N06概述
PTD50N06采用沟槽工艺技术设计， 可实现极低的导通电阻。 该设计的其他特性包括可在高结温下工作、开关速度快以及重复雪崩额定值得到改善。 这些特性相结合， 使该设计成为一款极其高效可靠的器件， 适用于电机应用及多种其他应用
PTD50N06特性
暂无产品特性。
PTD50N06应用领域
暂无应用领域。