PTD4N65
IC
TO-252
可供量大可议
PTD4N65
特性：RDS(on) (典型值2.6Ω)@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力， 高耐用性。 100%雪崩测试。 最大结温范围(150℃)
品牌
HT
封装
TO-252
库存
2,500
货期
现货
PTD4N65参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HT(金誉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
PTD4N65概述
特性：RDS(on) (典型值2.6Ω)@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力， 高耐用性。 100%雪崩测试。 最大结温范围(150℃)
PTD4N65特性
暂无产品特性。
PTD4N65应用领域
暂无应用领域。