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PTD30N120
IC

TO-252

可供量大可议

PTD30N120

特性：低导通电阻， 以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%雪崩测试。 应用：负载开关。 PWM应用

品牌

HT

封装

TO-252

库存

2,460

货期

现货

产品参数概述特性应用领域

PTD30N120参数

封装TO-252
品牌HT(金誉)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2460

PTD30N120概述

特性：低导通电阻， 以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%雪崩测试。 应用：负载开关。 PWM应用

PTD30N120特性

暂无产品特性。

PTD30N120应用领域

暂无应用领域。

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