PTD20N06
IC
TO-252
可供量大可议
PTD20N06
特性：低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许在最高结温下进行重复雪崩。 无铅， 符合RoHS标准。 VDS = 60V， ID = 20A。 RDS(ON) < 30mΩ（VGS = 10V时）。 RDS(ON) < 40mΩ（VGS = 4.5V时）
品牌
HT
封装
TO-252
库存
1,745
货期
现货
PTD20N06参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HT(金誉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1745 |
PTD20N06概述
特性：低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许在最高结温下进行重复雪崩。 无铅， 符合RoHS标准。 VDS = 60V， ID = 20A。 RDS(ON) < 30mΩ（VGS = 10V时）。 RDS(ON) < 40mΩ（VGS = 4.5V时）
PTD20N06特性
暂无产品特性。
PTD20N06应用领域
暂无应用领域。