PTD15N10
IC
TO-252
可供量大可议
PTD15N10
特性：N沟道， 5V逻辑电平控制。 增强模式。 在VDS = 4.5V时具有非常低的导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准
品牌
PUOLOP
封装
TO-252
库存
8,605
货期
现货
PTD15N10参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | PUOLOP(迪浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8605 |
PTD15N10概述
特性：N沟道， 5V逻辑电平控制。 增强模式。 在VDS = 4.5V时具有非常低的导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准
PTD15N10特性
暂无产品特性。
PTD15N10应用领域
暂无应用领域。