PTA26N60
IC
TO-220F
可供量大可议
PTA26N60
特性：先进的平面工艺。 典型导通电阻RDS(ON) = 250mΩ， VGS = 10V时。 低栅极电荷， 可最小化开关损耗。 坚固的多晶硅栅极结构。 应用：BLDC电机驱动器。 电焊机
品牌
PIP
封装
TO-220F
库存
1
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现货
PTA26N60参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | PIP(丽隽) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
PTA26N60概述
特性：先进的平面工艺。 典型导通电阻RDS(ON) = 250mΩ， VGS = 10V时。 低栅极电荷， 可最小化开关损耗。 坚固的多晶硅栅极结构。 应用：BLDC电机驱动器。 电焊机
PTA26N60特性
暂无产品特性。
PTA26N60应用领域
暂无应用领域。