PT412B
IC
SOT-23
可供量大可议
PT412B
使用先进的沟槽技术, 提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷, 并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或PWM应用。
Brand
HT
Package
SOT-23
Stock
2,980
货期
现货
PT412BParameters
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HT(金誉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2980 |
PT412B概述
使用先进的沟槽技术, 提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷, 并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或PWM应用。
PT412B特性
暂无产品特性。
PT412B应用领域
暂无应用领域。
