PSMN8R0-40HLX
IC
DFN1006D-2
可供量大可议
PSMN8R0-40HLX
双逻辑电平 N 沟道 MOSFET， 采用 TrenchMOS 技术， 封装为 LFPAK56D（双功率 SO8）。
品牌
Nexperia
封装
DFN1006D-2
库存
50
货期
现货
PSMN8R0-40HLX参数
| 封装 | DFN1006D-2 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
PSMN8R0-40HLX概述
双逻辑电平 N 沟道 MOSFET， 采用 TrenchMOS 技术， 封装为 LFPAK56D（双功率 SO8）。
PSMN8R0-40HLX特性
暂无产品特性。
PSMN8R0-40HLX应用领域
暂无应用领域。