PSMN7R6-60BS-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
PSMN7R6-60BS-HXY
PSMN7R6-60BS 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用高效散热封装TO-252-2L， 专为大电流应用设计。 器件拥有60V的高额定电压VDSS， 以及惊人的80A连续电流ID承载能力， 充分彰显卓越的电力处理性能。 尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)仅为6mΩ， 确保在大电流环境下依然能有效降低功耗、提升系统能效。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
1
货期
现货
PSMN7R6-60BS-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
PSMN7R6-60BS-HXY概述
PSMN7R6-60BS 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用高效散热封装TO-252-2L， 专为大电流应用设计。 器件拥有60V的高额定电压VDSS， 以及惊人的80A连续电流ID承载能力， 充分彰显卓越的电力处理性能。 尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)仅为6mΩ， 确保在大电流环境下依然能有效降低功耗、提升系统能效。
PSMN7R6-60BS-HXY特性
暂无产品特性。
PSMN7R6-60BS-HXY应用领域
暂无应用领域。