PSMN5R3-25MLDX
IC
SOT-1210
可供量大可议
PSMN5R3-25MLDX
逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET， 采用 LFPAK33 封装。 NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术， 可实现高效率、低尖峰性能， 通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关， 但没有高泄漏电流问题。 NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
品牌
Nexperia
封装
SOT-1210
库存
10
货期
现货
PSMN5R3-25MLDX参数
| 封装 | SOT-1210 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
PSMN5R3-25MLDX概述
逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET， 采用 LFPAK33 封装。 NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术， 可实现高效率、低尖峰性能， 通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关， 但没有高泄漏电流问题。 NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
PSMN5R3-25MLDX特性
暂无产品特性。
PSMN5R3-25MLDX应用领域
暂无应用领域。