PSMN5R0-100PS-HXY

该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为100V， 导通电阻低至4.1毫欧。 其极低的导通电阻有效减少了导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关电路等应用， 能够支持系统在紧凑空间内实现稳定可靠的电力控制。