PSMN4R8-100PSEQ-HXY

该N沟道MOSFET额定漏极电流ID为120A， 漏源击穿电压VDSS为100V， 导通电阻RDS(ON)典型值为4.1毫欧。 其低导通电阻有助于在大电流工作时显著降低导通损耗， 提升整体能效。 器件结构支持高效散热， 在高负载条件下仍可维持稳定性能。 适用于需要高电流处理能力与低功耗特性的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景， 能够可靠应对严苛的电气工作环境。