PSMN4R2-40VSHX

采用LFPAK56D封装（半桥配置）的双路标准电平N沟道MOSFET， 运用NextpowerS3技术。 高端FET的源极（S1）与低端FET的漏极（D2）内部相连， 使该器件非常适合在高性能PWM和空间受限的电机驱动应用中用作半桥开关。