PSMN2R7-30BL-VB
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
PSMN2R7-30BL-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于电源逆变、汽车电子和工业电源等需要高功率和高性能的应用场合。 TO263； N—Channel沟道, 30V； 150A； RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
20
货期
现货
PSMN2R7-30BL-VB参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
PSMN2R7-30BL-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于电源逆变、汽车电子和工业电源等需要高功率和高性能的应用场合。 TO263； N—Channel沟道, 30V； 150A； RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
PSMN2R7-30BL-VB特性
暂无产品特性。
PSMN2R7-30BL-VB应用领域
暂无应用领域。