PSMN2R4-30YLDX
IC
LFPAK-56
可供量大可议
PSMN2R4-30YLDX
逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET， 采用 LFPAK56 封装。 NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术， 可实现高效率、低尖峰性能， 通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关， 但没有高泄漏电流问题。 NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
品牌
Nexperia
封装
LFPAK-56
库存
1,227
货期
现货
PSMN2R4-30YLDX参数
| 封装 | LFPAK-56 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1227 |
PSMN2R4-30YLDX概述
逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET， 采用 LFPAK56 封装。 NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术， 可实现高效率、低尖峰性能， 通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关， 但没有高泄漏电流问题。 NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
PSMN2R4-30YLDX特性
暂无产品特性。
PSMN2R4-30YLDX应用领域
暂无应用领域。