PSMN2R0-40YLB-VB
IC
LFPAK56
可供量大可议
PSMN2R0-40YLB-VB
台积电流片， 长电科技封装； LFPAK56； N—Channel沟道； 40V； 150A； RDS(ON)=0.7(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
品牌
VBsemi
封装
LFPAK56
库存
5
货期
现货
PSMN2R0-40YLB-VB参数
| 封装 | LFPAK56 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
PSMN2R0-40YLB-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； LFPAK56； N—Channel沟道； 40V； 150A； RDS(ON)=0.7(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
PSMN2R0-40YLB-VB特性
暂无产品特性。
PSMN2R0-40YLB-VB应用领域
暂无应用领域。